來源：成都中冷低溫科技有限公司

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一 、碳化硅（SiCk）源于材料特性的益處：

①阻斷電壓更高，導(dǎo)通電阻更低

②在高壓中以單極性工作→降低功率損耗，提高效率

③在高壓中高速開關(guān)運(yùn)作→簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)

④更高的抗宇宙射線故障能力

二、CoolSiCTM MOSFET碳化硅的好處和目標(biāo)應(yīng)用：

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)，是在降低開關(guān)損耗的基礎(chǔ)上，提高功率密度，從而使用更小的散熱器，同時(shí)提高工作頻率，縮小磁性元件尺寸。

三、節(jié)能及系統(tǒng)集成度推動(dòng)電力電子應(yīng)用的發(fā)展

1、采用現(xiàn)代溝槽CoolSiCTM技術(shù)帶來了新機(jī)遇

平面DMOS：在導(dǎo)通狀態(tài)下，需要在性能及柵極氧化層可靠性之間作取舍；

溝槽Trench：在不違反柵極氧化層可靠性的條件下，更容易達(dá)到性能要求。

在相當(dāng)于IGBT的可靠性水平時(shí)達(dá)到最佳的Rdson

2、CoolSiCTM  MOSFE具有與Si IGBT接近的氧化層可靠性：

①與現(xiàn)有的SiC MOSFET相比，具有出色的可靠性；

②可靠性接近Si IGBT

四、擴(kuò)展可靠性測(cè)試及應(yīng)用相關(guān)測(cè)試

①當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)中的可靠性測(cè)試不足以滿足未來戶外應(yīng)用的要求；

②測(cè)試新型SiC溝道MOSFET使用高于這些標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試及應(yīng)用相關(guān)測(cè)試；

③進(jìn)行了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試。

          中冷低溫科技研發(fā)的ThermoStream TS-780高低溫沖擊氣流儀的性能達(dá)到了極高的標(biāo)準(zhǔn)。能夠應(yīng)用于特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)如：IGBT的試驗(yàn)也可以使用該氣流儀，不僅如此，這些也同樣可用TS-780做測(cè)試：芯片、微電子器件、集成電路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）；閃存Flash、UFS、eMMC；PCBs、MCMs、MEMS、傳感器、小型模塊組件；光通訊（如：收發(fā)器 Transceiver 高低溫測(cè)試、SFP 光模塊高低溫測(cè)試等）；以及其它電子行業(yè)、航空航天新材料、實(shí)驗(yàn)室研究。TS-780溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒，并有更廣泛的溫度范圍-80℃到+225℃；經(jīng)長(zhǎng)期的多工況驗(yàn)證，能滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。TS-780是純機(jī)械制冷，無需液氮或任何其他消耗性制冷劑，溫度轉(zhuǎn)換速率快，·溫控精度±1℃，顯示精度±0.1℃，氣流量可高達(dá)18SCFM，用TS-780做可靠性試驗(yàn)不僅減少了器件潛在的各種誤差及失效機(jī)制，還有效地控制和保證器件的可靠性。